2SC5658RM3T5G, 500nA 50V 260mW 215@1mA,6V 150mA 180MHz 400mV@50mA,5mA NPN +150°C@(Tj) SOT-723 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067818103
- Артикул
- 2SC5658RM3T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.02
- Длина
- 1.25 mm
- Серия
- 2SC5658RM3
- Высота
- 0.55 mm
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 8000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GENERAL PURPOSE NPN
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 1.25 mm |
| Серия | 2SC5658RM3 |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 0.85 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 260 mW |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |