Моя заявка (0)

2SC5354-1(F), Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 800V 5A, Транзистор

2SC5354-1(F), Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 800V 5A, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067823918
Артикул
2SC5354-1(F)
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
5.5
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 2 490 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Toshiba - это транзисторы с предварительным смещением, предназначенные для применения с низким уровнем шума и низким напряжением насыщения. Эти биполярные транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и имеют полярности PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP и NPN + PNP для работы. Эти транзисторы доступны с частотой переxода 25 МГц, 30 МГц, 35 МГц, 55 МГц, 100 МГц, 120 МГц, 200 МГц и 300 МГц в вариантаx с 3 контактами, 5 контактами, 6 контактами и 8 контактами.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г5.5
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:TO-3P-N-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:50
Pd - Power Dissipation:100 W
DC Current Gain hFE Max:60
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:900 V
Continuous Collector Current:5 A
Maximum DC Collector Current:5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:15
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:800 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1 V

Техническая документация