2SC5200N(S1,E,S), 230V 150W 80@1A,5V 15A NPN TO-3P(N) BIpolar (BJT) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043945454
- Артикул
- 2SC5200N(S1,E,S)
- Бренд
- Toshiba
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Package
- Tube
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный (BJT) транзистор NPN 230V 15A 30 МГц 150 Вт со сквозным отверстием TO-3P(N)
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Package | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.55 |
| Power - Max | 150W |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Package Type | TO-3P |
| Корпус | TO-3P(N) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base Product Number | TC75W59 -> |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Minimum DC Current Gain | 55 |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 15 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Maximum Collector Base Voltage | 230 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5ВµA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 230 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 230V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 150 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э макс | 160 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 230 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 230 |