2SC5087R(TE85L,F), RF Bipolar Transistors RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8006222193
Артикул: 2SC5087R(TE85L,F)
Бренд: Toshiba
Type:: VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier
Brand:: Toshiba
Вес, г: 0.01
Technology:: Si

Цена по запросу

(от 300 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

2SC5086 / 2SC5087 / 2SC5108 Радиочастотные биполярные транзисторы Toshiba 2SC5086 / 2SC5087 / 2SC5108 Радиочастотные биполярные транзисторы Toshiba 2SC5086 / 2SC5087 / 2SC5108 представляют собой кремниевые NPN-эпитаксиальные планарные транзисторы с напряжением коллектор-база 20 В, напряжением коллектор-эмиттер 10 В или 12 В и напряжением эмиттер-база 3 В. Они обеспечивают такие возможности, как низкий уровень искажений, низкий уровень шума и высокая защита от электростатического разряда, что делает эти устройства подxодящими для создания высокопроизводительныx конструкций. Радиочастотные биполярные транзисторы Toshiba 2SC5086 / 2SC5087 / 2SC5108 предназначены в первую очередь для усилителей с низким уровнем шума VCO и VHF-диапазона, такиx как наземные ТВ-тюнеры, спутниковые ТВ-тюнеры, CATV-тюнеры, DAB-системы, FM-тюнеры и радиостанции.

Технические параметры

Type:	VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier
Brand:	Toshiba
Вес, г	0.01
Technology:	Si
Subcategory:	Transistors
Manufacturer:	Toshiba
Package/Case:	SMQ-4
Product Type:	RF Bipolar Transistors
Configuration:	Single
Mounting Style:	SMD/SMT
Transistor Type:	Bipolar
Product Category:	RF Bipolar Transistors
Operating Frequency:	8 GHz
Transistor Polarity:	NPN
Factory Pack Quantity:	3000
Pd - Power Dissipation:	150 mW
DC Current Gain hFE Max:	240
Emitter- Base Voltage VEBO:	3 V
Operating Temperature Range:	-55 C to+125 C
Collector- Base Voltage VCBO:	20 V
Continuous Collector Current:	80 mA
Maximum Operating Temperature:	+125 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:	120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	12 V