2SC5085-O(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHz
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012161978
- Артикул
- 2SC5085-O(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SC-70-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 240 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 7 GHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 3 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 20 V |
| Continuous Collector Current: | 80 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 80 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 80 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 12 V |