2SC4672T100Q, Транзистор биполярный BJT 100 нА 50 В 2 Вт 120 при 500 мА, 2 В 3 А 210 МГц 130 мВ при 1 А, 50 мА +150-@(Tj) SMD
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015753303
- Артикул
- 2SC4672T100Q
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 0.03
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 41,71 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
50 В 500 МВт, 120 В при 500 мА, 2 В 2 А, биполярные транзисторы NPN SOT-89-3 - BJT ROHS
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 270 |
| Transition Frequency (fT) | 210MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 210 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 2V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | 3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 82 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 130 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 130mV@1A, 50mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 210 |