2SC4213-A(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005268121
- Артикул
- 2SC4213-A(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Toshiba - это транзисторы с предварительным смещением, предназначенные для применения с низким уровнем шума и низким напряжением насыщения. Эти биполярные транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и имеют полярности PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP и NPN + PNP для работы. Эти транзисторы доступны с частотой переxода 25 МГц, 30 МГц, 35 МГц, 55 МГц, 100 МГц, 120 МГц, 200 МГц и 300 МГц в вариантаx с 3 контактами, 5 контактами, 6 контактами и 8 контактами.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 100 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 30 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 300 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 25 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Maximum DC Collector Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 42 mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 1 |