2SC4117-GR,LF, SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017666446
- Артикул
- 2SC4117-GR,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
120 В 100 МВт 200 при 2 мА, 6 В 100 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-323-3 - BJT ROHS
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-323-3 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 100mW |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 6V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 120 V |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 120 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA, 1mA |