2SC4102U3HZGT106R, Bipolar Transistors - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005508204
- Артикул
- 2SC4102U3HZGT106R
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Power Dissipation
- 200мВт
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 40,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 180hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Continuous Collector Current | 50мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 120В |
| DC Усиление Тока hFE | 180hFE |
| Частота Перехода ft | 140МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |