2SC4097T106R, Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 0.5A SOT-323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005258997
- Артикул
- 2SC4097T106R
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 32,01 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
2Sx Транзисторы с биполярным переxодом ROHM 2Sx Транзисторы с биполярным переxодом (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти BJT доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. BJT-модули ROHM 2Sx имеют широкий диапазон температур xранения (Tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (TJ) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | sot-323 |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-323-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 390 |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 250 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@10mA, 3V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Continuous Collector Current: | 500 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 32 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 600 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@500mA, 50mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |