Моя заявка (0)
2SC4081T106Q, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014890107
Артикул
2SC4081T106Q
Бренд
Rohm
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 0.15A SOT-323

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г0.1
Длина2 mm
Серия2SC4081
Power - Max200mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота0.8 mm
Ширина1.25 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-70, SOT-323
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product Number2SC4081 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition180MHz
Pd - Power Dissipation200mW
Supplier Device PackageUMT3
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-323-3
Maximum DC Collector Current150mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max)150mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Collector-Emitter Breakdown Voltage50V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток0.15 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.15 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.560
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)180 MHz

Техническая документация