Моя заявка (0)
2SC4027T-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005368357
Артикул
2SC4027T-TL-E
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.43
Серия
2SC4027
Power Dissipation
15Вт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1.5A 160V

Технические параметры

Вес, г0.43
Серия2SC4027
Power Dissipation15Вт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Continuous Collector Current1.5А
Collector Emitter Voltage Max160В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft120МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности15 W
Размер фабричной упаковки700
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.160 V
Максимальный постоянный ток коллектора2.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.13 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)120 MHz

Техническая документация