2SC3649S-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368352
- Артикул
- 2SC3649S-TD-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 91,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PCP-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 120 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 180 V |
| Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 160 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 130 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |