Моя заявка (0)
2SC3648S-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005368350
Артикул
2SC3648S-TD-E
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Series
2SC3648
Packaging
Reel
Цена по запросу
(от 62,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 0.7A 160V

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Series2SC3648
PackagingReel
Pin Count3
Вес, г1
Серия2SC3648
ManufacturerON Semiconductor
Package TypePCP
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CasePCP-3
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity1000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation500 mW
DC Current Gain hFE Max400
Minimum DC Current Gain140, 200
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product fT120 MHz
Maximum Power Dissipation1.3 W
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Maximum Operating Frequency120 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокPCP-3
Collector- Base Voltage VCBO180 V
Continuous Collector Current0.7 A
Maximum DC Collector Current0.7 A
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Collector Base Voltage180 V
Maximum Collector Emitter Voltage160 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max160 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Saturation Voltage0.4 V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток0.7 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.160 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.7 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)120 MHz

Техническая документация