Моя заявка (0)

2SC3326-B,LF(T, Транзистор биполярный BJT 100нА 20В 150мВт 350@400мА,2В 300мА 30МГц 42мВ@30мА,3мА NPN +125°C@(Tj) SOT-23-3L

2SC3326-B,LF(T, Транзистор биполярный BJT 100нА 20В 150мВт 350@400мА,2В 300мА 30МГц 42мВ@30мА,3мА NPN +125°C@(Tj) SOT-23-3L

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017593316
Артикул
2SC3326-B,LF(T
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.03
Корпус
SOT-23(TO-236)
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 35 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

20 В 150 МВт, 350 при 400 мА, 2 В 300 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.03
КорпусSOT-23(TO-236)
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)300mA
Power Dissipation (Pd)150mW
Transition Frequency (fT)30MHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)350@400mA, 2V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)20V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)42mV@30mA, 3mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц30