2SC3326-B,LF, Транзистор биполярный BJT 100нА 20В 150мВт 350@400мА,2В 300мА 30МГц 42мВ@30мА,3мА NPN +125°C@(Tj) SOT-23-3L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062236054
- Артикул
- 2SC3326-B,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Toshiba - это транзисторы с предварительным смещением, предназначенные для применения с низким уровнем шума и низким напряжением насыщения. Эти биполярные транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и имеют полярности PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP и NPN + PNP для работы. Эти транзисторы доступны с частотой переxода 25 МГц, 30 МГц, 35 МГц, 55 МГц, 100 МГц, 120 МГц, 200 МГц и 300 МГц в вариантаx с 3 контактами, 5 контактами, 6 контактами и 8 контактами.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23-3(TO-236) |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-236-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 1200 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 30 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 25 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Maximum DC Collector Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 200 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 42 mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |