Моя заявка (0)

2SC3303-Y(T6L1,NQ), Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V

2SC3303-Y(T6L1,NQ), Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018706832
Артикул
2SC3303-Y(T6L1,NQ)
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.05
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 680 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Toshiba - это транзисторы с предварительным смещением, предназначенные для применения с низким уровнем шума и низким напряжением насыщения. Эти биполярные транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и имеют полярности PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP и NPN + PNP для работы. Эти транзисторы доступны с частотой переxода 25 МГц, 30 МГц, 35 МГц, 55 МГц, 100 МГц, 120 МГц, 200 МГц и 300 МГц в вариантаx с 3 контактами, 5 контактами, 6 контактами и 8 контактами.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:TO-252-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:2000
Pd - Power Dissipation:20 W
DC Current Gain hFE Max:240
Gain Bandwidth Product fT:120 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:100 V
Continuous Collector Current:1 A
Maximum DC Collector Current:5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:70
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:200 mV
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3

Техническая документация