2SC3265-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062318190
- Артикул
- 2SC3265-Y,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.02
- Серия
- 2SC3265
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- BJTs - Bipolar Transistors
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | 2SC3265 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-236MOD-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 320 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |