2SC3143-4-TB-E, Trans RF BJT NPN 160V 0.08A 200mW 3-Pin CP
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002212156
- Артикул
- 2SC3143-4-TB-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Минимальный заказ: 789 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans RF BJT NPN 160 В 0,08 А 200 МВт 3-контактный CP
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.5 |
| Package Length | 2.9 |
| Supplier Package | CP |
| Standard Package Name | SOT |
| Maximum Output Power (W) | 100 |
| Maximum Turn-On Time (ns) | 180(Typ) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 2 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 5 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.08 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 180 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Emitter Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 160 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum DC Collector Current Range (A) | 0.06 to 0.12 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) | 100 to 200 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7@3mA@30mA |