2SC2812-5-TB-E, Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin Case CP T/R
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002212183
- Артикул
- 2SC2812-5-TB-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Category
- Bipolar Small Signal
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 6 ₽)
Минимальный заказ: 13275 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200 МВт 3-контактный корпус CP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Category | Bipolar Small Signal |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.5 |
| Package Length | 2.9 |
| Supplier Package | Case CP |
| Standard Package Name | SOT |
| Minimum DC Current Gain | 135@1mA@6V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 5 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.15 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 1@5mA@50mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@5mA@50mA |