2SC2714-Y(TE85L,F), 30V 100mW 100@1mA,6V 20mA NPN TO-236-3(SOT-23-3) BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033500144
- Артикул
- 2SC2714-Y(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23-3(TO-236) |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-346-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 200 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 550 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 4 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Continuous Collector Current: | 20 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 20 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 40 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |