2SC2712-BL,LF(T, 100nA 50V 150mW 350@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA NPN +125°C@(Tj) TO-236-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070128658
- Артикул
- 2SC2712-BL,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.04
- No. of Pins
- 3Pins
- Корпус
- TO-236-3
- Transistor Type
- NPN
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
50 В 150 МВт 350 Вт при 2 мА, 6 В 150 мА на биполярныx транзистораx NPN TO-236-3 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Корпус | TO-236-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 200mW |
| Структура | npn |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transition Frequency | 80MHz |
| Operating Temperature | - |
| Transistor Case Style | SOT-346 |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| DC Current Gain hFE Min | 70hFE |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Transition Frequency (fT) | 80MHz |
| Continuous Collector Current | 150mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 350@2mA, 6V |
| Collector Emitter Voltage Max | 50V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@100mA, 10mA |