Моя заявка (0)

2SC1623, 1uA 50V 200mW 100mA 300mV@100mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

2SC1623, 1uA 50V 200mW 100mA 300mV@100mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015925400
Артикул
2SC1623
Бренд
YONGYUTAI
Вес, г
0.03
Корпус
sot-323
Transistor Type
NPN
Описание
Транзистор биполярный NPN; 50 В; 0.1 А; hFE 90…600; SOT-323
Цена по запросу
(от 1,24 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

50 В 200 МВт, 200 Вт при 1 мА, 6 В 100 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.03
Корпусsot-323
Transistor TypeNPN
ОписаниеТранзистор биполярный NPN; 50 В; 0.1 А; hFE 90…600; SOT-323
Структураnpn
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Transition Frequency (fT)250MHz
Способ монтажаПоверхностный
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)200@1mA, 6V
Тип проводимостиNPN
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Граничная частота ft, МГц250
Коэффициент усиления hFE мин.90
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@100mA, 10mA
Коэффициент усиления hFE макс.600
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В0.3
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В60
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В50
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В5
Транспортная упаковка: размер/кол-во42*28*18.5/45000
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт0.2
Максимальный постоянный ток коллектора, А0.1

Техническая документация