2SB906-Y(TE16L1,NQ, Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PW-MOLD MOQ=2000 PC=20W F=9MHZ
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005509448
- Артикул
- 2SB906-Y(TE16L1,NQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.36
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 590 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | 2-7J1A-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 200 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 9 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | -3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 9 |