Моя заявка (0)

2SB852KT146B, Транзистор Дарлингтона 5000 @ 100 мА, 5 В 32 В PNP 200 МГц 1мкА 300 мА 200мВт +150-@(Tj) 1,5 В @ 400мкА, 200 мА SMD-3P

2SB852KT146B, Транзистор Дарлингтона 5000 @ 100 мА, 5 В 32 В PNP 200 МГц 1мкА 300 мА 200мВт +150-@(Tj) 1,5 В @ 400мкА, 200 мА SMD-3P

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015811628
Артикул
2SB852KT146B
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
0.04
Subcategory:
Transistors
Manufacturer:
ROHM Semiconductor
Цена по запросу
(от 15,68 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

5000 при 100 мА, 5 В 32 В PNP 300 мА 200 МВт TO-236-3 (SOT-23-3) Транзисторы Дарлингтона ROHS

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г0.04
Subcategory:Transistors
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SC-59-3
Product Type:Darlington Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:2SB852K
Transistor TypePNP
Product Category:Darlington Transistors
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)300mA
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)200mW
DC Current Gain hFE Max:5000
Transition frequency (fT)200MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
DC current gain (hFE@Vce,Ic)5000@100mA, 5V
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Maximum DC Collector Current:300 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:5000
Collector-emitter voltage (Vceo)32V
Maximum Collector Cut-off Current:1 uA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)1uA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:32 V
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1.5V@400uA, 200mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц200