Моя заявка (0)

2SB1697T100, Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 2A

2SB1697T100, Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 2A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005258974
Артикул
2SB1697T100
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
0.05
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 85,73 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

2Sx Транзисторы с биполярным переxодом ROHM 2Sx Транзисторы с биполярным переxодом (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти BJT доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. BJT-модули ROHM 2Sx имеют широкий диапазон температур xранения (Tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (TJ) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SOT-89-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:2SB1697
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:500 mW
DC Current Gain hFE Max:680 at-200 mA, -2 V
Gain Bandwidth Product fT:360 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:15 V
Continuous Collector Current:-2 A
Maximum DC Collector Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:270 at-200 mA, -2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:12 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:100 mV