2SB1561T100Q, 100nA 60V 2W 120@500mA,2V 2A 200MHz 150mV@1A,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015782087
- Артикул
- 2SB1561T100Q
- Бренд
- Rohm
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Width
- 2.5 mm
- Height
- 1.5 mm
- Length
- 4.5 mm
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 60V 2A
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Width | 2.5 mm |
| Height | 1.5 mm |
| Length | 4.5 mm |
| Series | 2SB1561 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.13 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | 2SB1561 |
| Subcategory | Transistors |
| Unit Weight | 0.004603 oz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| DC Current Gain HFE Max | 270 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 200 MHz |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | - 6 V |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | - 60 V |
| Continuous Collector Current | - 2 A |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | - 60 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@1A, 50mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |