2SB1412TLQ, Bipolar (BJT) Transistor PNP 20 V 5 A 120MHz 10 W Surface Mount CPT3
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064112421
- Артикул
- 2SB1412TLQ
- Бренд
- Rohm
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 6.5 mm
- Серия
- 2SB1412
Цена по запросу
(от 116,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 20V 5A
Технические параметры
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | 2SB1412 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 1W |
| Manufacturer | Rohm Semiconductor |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 5.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Transistor Type | PNP |
| Base Part Number | 2SB1412 |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 4A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA(ICBO) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 10 W |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |