2SB1260T100Q, 1uA 80V 2W 120@100mA,3V 1A 100MHz 400mV@1A,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015765142
- Артикул
- 2SB1260T100Q
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Width
- 2.5 mm
- Height
- 1.5 mm
Цена по запросу
(от 31 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
1uA 80 В 2 Вт 120 при 100 мА, 3 В 1 А 100 МГц 400 мВ при 1 А,50 мА Биполярные транзисторы PNP +150-@(Tj) SOT-89 - BJT
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Width | 2.5 mm |
| Height | 1.5 mm |
| Length | 4.5 mm |
| Series | 2SB1260 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.13 |
| Subcategory | Transistors |
| Unit Weight | 0.004603 oz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| DC Current Gain HFE Max | 390 |
| Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | -80 V |
| Continuous Collector Current | -1 A |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 3V |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 82 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -80 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@1A, 50mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |