2SB1215S-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061894728
- Артикул
- 2SB1215S-TL-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.42
- Серия
- 2SB1215
- Структура
- pnp
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 700 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100V
Технические параметры
| Вес, г | 0.42 |
| Серия | 2SB1215 |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Размер фабричной упаковки | 700 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |