2SB1201S-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368328
- Артикул
- 2SB1201S-TL-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 105,15 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50V
Технические параметры
| Tab | Tab |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.4 |
| Серия | 2SB1201 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Package Width | 5.5 |
| Package Height | 2.3 |
| Package Length | 6.5 |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | DPAK |
| Power Dissipation | 15Вт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 140hFE |
| Minimum DC Current Gain | 140@100mA@2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Continuous Collector Current | 2А |
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 800 |
| DC Усиление Тока hFE | 140hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Typ) |
| Частота Перехода ft | 150МГц |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@50mA@1A |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7@50mA@1A |
| Размер фабричной упаковки | 700 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |