Моя заявка (0)
2SB1197KT146Q, Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004725554
Артикул
2SB1197KT146Q
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Series:
2SB1197K
Pin Count
3
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 30,64 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx Транзисторы с биполярным переxодом ROHM 2Sx (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти BJT доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. Модули ROHM 2Sx BJT имеют широкий диапазон температур xранения (tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (Tj) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Series:2SB1197K
Pin Count3
Вес, г0.01
Technology:Si
Package TypeSOT-346
Subcategory:Transistors
КорпусSMT3
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SC-59-3
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Minimum DC Current Gain120
Pd - Power Dissipation:200 mW
DC Current Gain hFE Max:390
Gain Bandwidth Product fT:200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current-800 mA
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Continuous Collector Current:-800 mA
Maximum DC Collector Current:800 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:120
Maximum Collector Emitter Voltage-32 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:32 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация