Моя заявка (0)

2SB1189T100R, 500nA 80V 2W 120@100mA,3V 700mA 100MHz 200mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) MPT3 Bipolar Transistors - BJT

2SB1189T100R, 500nA 80V 2W 120@100mA,3V 700mA 100MHz 200mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) MPT3 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062583511
Артикул
2SB1189T100R
Бренд
Rohm
Вес, г
0.14
Длина
4.5 mm
Серия
2SB1189
Высота
1.5 mm
Цена по запросу
(от 57,28 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 80V 0.7A

Технические параметры

Вес, г0.14
Длина4.5 mm
Серия2SB1189
Высота1.5 mm
Ширина2.5 mm
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокMPT-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2 W
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток0.7 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.7 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.390
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz