2SB1188T100Q, 1uA 32V 2W 120@500mA,3V 2A 100MHz 500mV@2A,200mA PNP +150-@(Tj) MPT3 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062246793
- Артикул
- 2SB1188T100Q
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.14
- Длина
- 4.5 mm
- Высота
- 1.5 mm
- Ширина
- 2.5 mm
Цена по запросу
(от 80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 32V 2A SO-89
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 4.5 mm |
| Высота | 1.5 mm |
| Ширина | 2.5 mm |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | - |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 3V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@2A, 200mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |