2SB1181TLR, 1uA 80V 10W 180@100mA,3V 1A 100MHz PNP 400mV@1A,50mA +150-@(Tj) TO-252-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062583513
- Артикул
- 2SB1181TLR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 0.44
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 96,46 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 80V 1A
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 0.44 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-252-3, DPak |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 180 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | -1 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 180 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |