Моя заявка (0)

2SB1181TLQ, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 100MHz 10 W Surface Mount CPT3

2SB1181TLQ, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 100MHz 10 W Surface Mount CPT3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063991505
Артикул
2SB1181TLQ
Бренд
Rohm
Вес, г
0.05
Длина
6.5 mm
Серия
2SB1181
Высота
2.3 mm
Цена по запросу
(от 270 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 80V 1A

Технические параметры

Вес, г0.05
Длина6.5 mm
Серия2SB1181
Высота2.3 mm
Ширина5.5 mm
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокCPT-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности10 W
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.390
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация