2SB1132T100R, 500nA 32V 2W 180@100mA,3V 1A 150MHz 200mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) TO-243AA Bipolar Transistors - BJT ROHS
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063209832
- Артикул
- 2SB1132T100R
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 0.12
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 44,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 32V 1A
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 0.12 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | sot-89 |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 390 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Continuous Collector Current: | -1 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 82 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 32 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.5 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 180 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э макс | 390 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 32 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 40 |