2SB1123S-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006227528
- Артикул
- 2SB1123S-TD-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.05
- Серия
- 2SB1123
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 61,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50V
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | 2SB1123 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| DC Current Gain hFE Max: | 560 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | -2 A |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |