Моя заявка (0)

2SAR586D3FRATL, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

2SAR586D3FRATL, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004512349
Артикул
2SAR586D3FRATL
Бренд
Rohm
Category
Bipolar Power
Mounting
Surface Mount
Frequency
200(MHz)
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 335 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP

Технические параметры

CategoryBipolar Power
MountingSurface Mount
Frequency200(MHz)
PackagingTape and Reel
Pin Count2+Tab
Вес, г0.454
Output PowerNot Required(W)
Package TypeDPAK
Rad HardenedNo
КорпусDPAK/TO-252
ConfigurationSingle
DC Current Gain120 500MA 3V
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation10Вт
Number of Elements1
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Emitter-Base Voltage6(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (DC)5(A)
Collector-Base Voltage80(V)
DC Current Gain hFE Min120hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Continuous Collector Current5А
Collector Emitter Voltage Max80В
DC Усиление Тока hFE120hFE
Частота Перехода ft200МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Temperature ClassificationMilitary
Полярность ТранзистораPNP
Pd - рассеивание мощности10 W
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)5
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер160 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.390
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация