Моя заявка (0)

2SAR574D3FRATL, 80V 10W 2A 180@100mA,3V TO-252 Single Bipolar Transistors ROHS

2SAR574D3FRATL, 80V 10W 2A 180@100mA,3V TO-252 Single Bipolar Transistors ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050094397
Артикул
2SAR574D3FRATL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.44
Корпус
DPAK/TO-252
Упаковка
Reel, Cut Tape
Power Dissipation
10Вт
Цена по запросу
(от 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP

Технические параметры

Вес, г0.44
КорпусDPAK/TO-252
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation10Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min120hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Continuous Collector Current2А
Collector Emitter Voltage Max80В
DC Усиление Тока hFE120hFE
Частота Перехода ft280МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности10 W
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.390
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)280 MHz

Техническая документация