Моя заявка (0)

2SAR553RHZGTL,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Surface Mount

2SAR553RHZGTL,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046469600
Артикул
2SAR553RHZGTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx (BJT) ROHM Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти транзисторы доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. Модули 2Sx BJT имеют широкий диапазон температур xранения (Tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (TJ) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-346
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SOT-346T-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:1 W
DC Current Gain hFE Max:450 at-50 mA, -2 V
Gain Bandwidth Product fT:320 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Maximum DC Collector Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:180 at-50 mA, -2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV

Техническая документация