2SAR553P5T100, 50V 2W 180@50mA,2V 2A PNP SOT-89 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023470148
- Артикул
- 2SAR553P5T100
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.13
- Серия
- 2SxR
- Корпус
- SOT-89/TO-243
- Transistor Type
- PNP
Цена по запросу
(от 18,19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3
Технические параметры
| Вес, г | 0.13 |
| Серия | 2SxR |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Transistor Type | PNP |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| DC Current Gain hFE Min | 180hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 320MHz |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-62-3 |
| Continuous Collector Current | 2А |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@50mA, 2V |
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Другие названия товара № | 2SAR553P5 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@700mA, 35mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at - 50 mA, - 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 at - 50 mA, - 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |