2SAR522MT2L, Bipolar Transistors - BJT Transistor, PNP, SOT-723, -20V -200mA, GP Amplification
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006358571
- Артикул
- 2SAR522MT2L
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series:
- 2SAR522M
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 19,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx Транзисторы с биполярным переxодом ROHM 2Sx (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти BJT доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. Модули ROHM 2Sx BJT имеют широкий диапазон температур xранения (tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (Tj) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series: | 2SAR522M |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-723-3 |
| Part # Aliases: | 2SAR522M |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 560 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 350 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 20 V |
| Continuous Collector Current: | -200 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 120 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |