Моя заявка (0)

2SAR514RTL, 1uA 80V 1W 120@100mA,3V 700mA 380MHz PNP 200mV@300mA,15mA +150-@(Tj) SOT-346T Bipolar Transistors - BJT

2SAR514RTL, 1uA 80V 1W 120@100mA,3V 700mA 380MHz PNP 200mV@300mA,15mA +150-@(Tj) SOT-346T Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015794044
Артикул
2SAR514RTL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-346
Transistor Type
PNP
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 32,61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Digital Transtr Driver

Технические параметры

Вес, г0.04
КорпусSOT-346
Transistor TypePNP
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)700mA
Power Dissipation (Pd)1W
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)380MHz
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSC-96-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)120@100mA, 3V
Collector Cut-Off Current (Icbo)1uA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)80V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1 W
Другие названия товара №2SAR514R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@300mA, 15mA
Непрерывный коллекторный ток700 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора700 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.390 at - 100 mA, - 3 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц80
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)380 MHz

Техническая документация