2SAR513RTL, 1uA 50V 1W 180@50mA,2V 1A 400MHz 200mV@500mA,25mA PNP +150-@(Tj) SOT-346T Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015803429
- Артикул
- 2SAR513RTL
- Бренд
- Rohm
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.04
Цена по запросу
(от 26,55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT I2C BUS 1Kbit EEPROM
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.04 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Package Type | SOT-346T(SC-96) |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Корпус | SOT-346 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-346T-3 |
| Part # Aliases | 2SAR513R |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 450 |
| Minimum DC Current Gain | 180 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 400 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | - 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 400 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-346T-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | - 50 V |
| Maximum DC Collector Current | - 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 180 |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | - 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | - 200 mV |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Другие названия товара № | 2SAR513R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 400 MHz |