2SAR512RHZGTL,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8046432519
Артикул: 2SAR512RHZGTL
Бренд: Rohm
Brand:: ROHM Semiconductor
Вес, г: 0.001
Technology:: Si
Subcategory:: Transistors

Цена по запросу

(от 103 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx (BJT) ROHM Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти транзисторы доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. Модули 2Sx BJT имеют широкий диапазон температур xранения (Tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (TJ) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.

Технические параметры

Brand:	ROHM Semiconductor
Вес, г	0.001
Technology:	Si
Subcategory:	Transistors
Корпус	SOT-346
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Package/Case:	SOT-346T-3
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:	Single
Mounting Style:	SMD/SMT
Part # Aliases:	2SAR512RHZG
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Структура	pnp
Moisture Sensitive:	Yes
Transistor Polarity:	PNP
Factory Pack Quantity:	3000
Pd - Power Dissipation:	1 W
DC Current Gain hFE Max:	500
Gain Bandwidth Product fT:	430 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Collector- Base Voltage VCBO:	30 V
Continuous Collector Current:	-2 A
Maximum DC Collector Current:	2 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:	200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	200 mV
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	30