2SAR512RHZGTL, Bipolar Transistors - BJT SOT346T 30V 2A MID-PWR TRANS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018676286
- Артикул
- 2SAR512RHZGTL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx (BJT) ROHM Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти транзисторы доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. Модули 2Sx BJT имеют широкий диапазон температур xранения (Tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (TJ) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-346T-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 2SAR512RHZG |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 430 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 30 V |
| Continuous Collector Current: | -2 A |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 200 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |