2SAR512P5T100, Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006255703
- Артикул
- 2SAR512P5T100
- Бренд
- Rohm
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 102 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 1 |
| Серия | 2SxR |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | MPT |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200@100mA@2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 30 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 430(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 1000 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Другие названия товара № | 2SAR512P5 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4@35mA@700mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 at - 100 mA, - 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at - 100 mA, - 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 430 MHz |