Моя заявка (0)

2SAR502UBTL, 200nA 30V 200mW 200@100mA,2V 500mA 520MHz PNP 150mV@200mA,10mA +150-@(Tj) SOT-323FL Bipolar Transistors - BJT ROHS

2SAR502UBTL, 200nA 30V 200mW 200@100mA,2V 500mA 520MHz PNP 150mV@200mA,10mA +150-@(Tj) SOT-323FL Bipolar Transistors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015753247
Артикул
2SAR502UBTL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.03
Серия
2SAR502UB
Корпус
sot-323
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 4,10 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Digital Transtr Driver

Технические параметры

Вес, г0.03
Серия2SAR502UB
Корпусsot-323
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-323FL-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №2SAR502UB
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора500 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц20
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)520 MHz

Техническая документация