Моя заявка (0)

2SAR502U3HZGT106, Bipolar Transistors - BJT Transistor, PNP, SOT-323, -30V -0.5A, GP

2SAR502U3HZGT106, Bipolar Transistors - BJT Transistor, PNP, SOT-323, -30V -0.5A, GP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006246788
Артикул
2SAR502U3HZGT106
Бренд
Rohm
Вес, г
0.1
Корпус
sot-323
Power Dissipation
200мВт
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 29,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP

Технические параметры

Вес, г0.1
Корпусsot-323
Power Dissipation200мВт
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-323-3
Continuous Collector Current500мА
Collector Emitter Voltage Max30В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft520МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)520 MHz

Техническая документация